摘要: 英飞凌Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高隔离开关具有低电流消耗,低插入损耗和高达6GHz的低谐波生成能力。该开关是专为LTE和5G反馈接收应用而设计的,并通过MIPI RFFE控制器进行控制。
英飞凌Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高隔离开关具有低电流消耗,低插入损耗和高达6GHz的低谐波生成能力。该开关是专为LTE和5G反馈接收应用而设计的,并通过MIPI RFFE控制器进行控制。BGS15MU14高隔离开关具有经济的GaAs性能以及与常规CMOS的集成,包括固有的更高的ESD鲁棒性。
该开关的工作电压范围为-0.5V至2.2V,电源电流为100μA,输入功率为20dBm。BGS15MU14高隔离开关存储在-55°C至150°C的温度范围内,并在125°C的结温下工作。
高线性度
切换速度快
低插入损耗和高达6GHz的高端口到端口隔离
低电流消耗
符合MIPI RFFE 2.1的控制界面
超薄型无铅塑料封装
小尺寸1.5mm x 1.9mm
符合RoHS和WEEE的软件包
-0.5V至2.2V电源电压范围
100μA电源电流
20dBm高线性度输入功率
1.65V至1.95V电源电压范围
0.4GHz至6GHz频率范围
-55°C至150°C的存储温度范围
结温125°C
-40°C至85°C环境温度范围
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308