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英飞凌BGS15MU14 SP5T高隔离开关的介绍、特性、规格及原理图

来源:HQBUY 发布时间:2020-11-03

摘要: 英飞凌Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高隔离开关具有低电流消耗,低插入损耗和高达6GHz的低谐波生成能力。该开关是专为LTE和5G反馈接收应用而设计的,并通过MIPI RFFE控制器进行控制。

英飞凌BGS15MU14 SP5T高隔离开关的介绍


英飞凌Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高隔离开关具有低电流消耗,低插入损耗和高达6GHz的低谐波生成能力。该开关是专为LTE和5G反馈接收应用而设计的,并通过MIPI RFFE控制器进行控制。BGS15MU14高隔离开关具有经济的GaAs性能以及与常规CMOS的集成,包括固有的更高的ESD鲁棒性。


英飞凌BGS15MU14 SP5T高隔离开关


该开关的工作电压范围为-0.5V至2.2V,电源电流为100μA,输入功率为20dBm。BGS15MU14高隔离开关存储在-55°C至150°C的温度范围内,并在125°C的结温下工作。



BGS15MU14 SP5T高隔离开关特征


高线性度

切换速度快

低插入损耗和高达6GHz的高端口到端口隔离

低电流消耗

符合MIPI RFFE 2.1的控制界面

超薄型无铅塑料封装

小尺寸1.5mm x 1.9mm

符合RoHS和WEEE的软件包



BGS15MU14 SP5T高隔离开关规格参数


-0.5V至2.2V电源电压范围

100μA电源电流

20dBm高线性度输入功率

1.65V至1.95V电源电压范围

0.4GHz至6GHz频率范围

-55°C至150°C的存储温度范围

结温125°C

-40°C至85°C环境温度范围



BGS15MU14 SP5T高隔离开关原理图


BGS15MU14 SP5T高隔离开关原理图


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