摘要: Alliance Memory AS5F系列串行外围设备接口(SPI)NAND闪存是具有标准并行NAND的单级单元(SLC)NAND的存储设备。这些器件的工作电压为1.8V至3V,密度为1Gb至8Gb,高速时钟频率高达120MHz。
Alliance Memory AS5F系列串行外围设备接口(SPI)NAND闪存是具有标准并行NAND的单级单元(SLC)NAND的存储设备。这些器件的工作电压为1.8V至3V,密度为1Gb至8Gb,高速时钟频率高达120MHz。AS5F SPI NAND闪存器件以较小的尺寸提供更高的可靠性,更快的启动速度以及超过60,000个写和擦除周期。
这些器件为嵌入式系统的高密度非易失性存储器存储解决方案中的备用SPI-NOR提供了一种低成本,低引脚数的解决方案。AS5F SPI NAND闪存器件具有64页的一次性可编程保护,其中每页包含一个数据存储区和一个备用区。
AS5F SPI NAND闪存器件的增强性能可以满足多媒体数据存储应用和人工智能(AI)实施的要求。这些设备非常适合用于Wi-Fi路由器,移动设备,xDSL / xPON技术,数据卡,IP摄像机,机顶盒,数字电视,智能家居设备等的芯片组中。
SPI NAND闪存器件的工作温度范围为-40°C至85°C,并提供25mA读/编程电流和30mA擦除电流。AS5F闪存器件支持标准,双通道和四通道SPI操作,并采用无铅(Pb)和无卤素LGA 8引脚封装提供。
单级单元(SLC)NAND闪存
工作电压支持:
VCC:3.3V(3.0V至3.6V)
VCC:1.8V(1.7V至1.98V)
时钟频率:
最高120MHz(对于VCC 3.3V)
高达100MHz(对于VCC 1.8V)
SPI:
标准:SCLK,CS#,SI,SO,WP#和HOLD#
双路:SCLK,CS#,SIO0,SIO1,WP#和HOLD#
四路:SCLK,CS#,SIO0,SIO1,SIO2和SIO3
ECC保护:
每个512字节+ 32字节8位ECC
每个512字节+ 16字节4位ECC
封装(无铅和无卤素):
8针LGA-8(8mm x 6mm x 0.8mm)
OTP保护:
一次可编程64页
性能(典型):
600μs页面编程时间
页面大小为2K页面读取时间为70μs
页面大小4K页面读取时间为140μs
3ms块擦除时间
工作电流:
25mA读取操作电流
25mA程序工作电流
30mA擦除操作电流
最大待机电流120uA
耐力:
超过60,000个/周期P / E周期
温度:
-40°C至85°C的工作温度范围
-65°C至150°C的存储温度范围
Wi-Fi路由器
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