ROHM Semiconductor的SCT2H12NZ提供工业设备辅助电源所需的高击穿电压。与传统的硅mosfet相比，传导损耗降低了8倍，有助于提高能源效率。

为工业设备中的辅助电源提供优化

与用于工业设备辅助电源的1500 V硅mosfet相比，SCT2H12NZ提供了更高的击穿电压(1700 V)，更小的导通电阻(1.15欧姆)8倍。此外，紧凑的TO-3PFM封装保持漏电距离(沿绝缘材料表面测量的距离)所需的工业设备。ROHM正在释放一种表面安装类型(TO268-2L)，也提供足够的爬电距离。

当与ROHM专用集成电路结合时，提高了效率

使用这种最新的SiC MOSFET与ROHM的AC/DC变换器控制IC (BD7682FJ-LB)相结合，专门为SiC MOSFET驱动器设计，将有可能最大限度地提高性能和效率高达6%。与此同时，热产生将减少，最大限度地减少热对策，并允许使用更小的组件。

3.75 kv隔离电压

通过添加BM61M41RFV或BM61S40RFV，用户可以获得一个隔离电压为3750 V(RMS)， I/O延迟时间为65 ns，最小输入脉冲宽度为60 ns的门驱动器。具有欠压闭锁(UVLO)功能和米勒钳位功能。