德州仪器公司的LMG1210是一款200 V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管(GaN FET)驱动器，专为超高频、高效率应用而设计，具有可调死区能力、超小传播延迟和3.4 ns高侧/低侧匹配以优化系统效率。该设备具有一个内部LDO，确保大门驱动电压为5v，而不管供电电压。

为了在各种应用中实现最佳性能，LMG1210允许设计师选择最佳的自举二极管来为高侧自举电容充电。内部开关关闭bootstrap二极管时，低侧关闭，有效防止高侧bootstrap过度充电，最大限度地减少反向恢复电荷。GaN场效应晶体管的附加寄生电容被最小化到小于1 pF，以减少附加的开关损耗。

LMG1210具有两种控制输入模式，包括独立输入模式(IIM)和PWM模式。在IIM中，每个输出都由专用输入独立控制。在PWM模式下，两个互补的输出信号从单个输入产生，用户可以调整死区时间从0 ns到20 ns每条边。LMG1210的工作温度范围从-40°C到+125°C，并提供一个低电感WQFN封装。