Cypress S34ML08G1, 8 GB NAND提供3.3 V(CC)与x8 I/O接口。其NAND电池为固态大容量存储市场提供了一种具有成本效益的解决方案。内存被划分为可以被独立擦除的块，因此在旧数据被擦除时可以保留有效数据。页面大小是(2048 + 64空闲字节)。

每个块可以编程和擦除高达100,000个周期的纠错码(ECC)上。为了延长NAND闪存设备的生命周期，ECC的实现是强制性的。

该芯片支持CE#不关心功能。这个函数允许通过微控制器从NAND闪存设备直接下载代码，因为CE#转换不会停止读取操作。

这些设备有一个读缓存特性，可以提高大文件的读吞吐量。在高速缓存读取期间，设备将数据加载到高速缓存寄存器，而先前的数据被转移到I/O缓冲区来读取。

在多平面操作中，页中的数据可以以每字节25纳斯循环时间读出。I/O引脚作为命令和地址输入以及数据输入/输出的端口。这个接口允许减少引脚数量，并容易迁移到不同的密度，没有任何重新安排的足迹。

由于多平面架构，我们可以一次编写两个页面(每个平面一个页面)，或者一次擦除两个块(同样，每个平面一个块)。多平面结构使程序时间减少了40%，擦除时间减少了50%。

还支持多平面复制。允许在拷贝回读之后读出数据(单平面和多平面情况下都可以)。
此外，缓存程序和多平面缓存程序操作通过使用缓存寄存器对数据进行编程提高了编程吞吐量。

这些设备提供了两个创新的功能:页面重编程和多平面页面重编程。页面重新编程，重新编程一个页面。通常，该操作在页面程序操作失败后执行。类似地，多平面页面重新编程并行地重新编程两个页面，每个平面一个。第一页必须在第一个平面，而第二页必须在第二个平面。在多平面页面编程操作失败后执行多平面页面重编程操作。页面重编程和多平面页面重编程保证了性能的提高;因为在重编程操作期间可以省略数据插入。