NDB16P是一种高速CMOS DDR2同步DRAM，通过Insignis的专有扩展测试流程，以减轻早期寿命故障，确保工业使用的优质质量和长期可靠性。这些设备被设计为符合DDR2 DRAM的关键特性，如添加延迟的post CAS#，写延迟=读延迟-1，以及die终止(ODT)。

所有的控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟(CK上升和CK#下降)的交叉点。所有的I/ o都通过一对双向频闪器(DQS和DQS#)以源同步方式进行同步。

以交错方式操作存储库可以使随机访问操作以比标准dram更高的速率发生。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自计时行预充电。一个连续的和无间隙的数据速率可能取决于突发长度，CAS延迟，和设备的速度等级。