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Microchip Technology SPI串行EERAM存储器

来源:HQBUY 发布时间:2021-01-26

摘要: Microchip Technology家族的非易失性串行SRAM存储器



Microchip公司的EERAM技术是一种包含影子非易失性备份的独立串行SRAM存储器。EERAM使用一个小型外部电容器提供所需的能量,当系统电源丢失时,移动SRAM的内容到非易失性电池。与nvSRAM不同的是,它不需要外部电池。EERAM为非易失性单元提供无限的SRAM读写周期和超过100,000个备份。V(CC)被监视在IC内,可以自动处理数据移动之间的SRAM和非易失性存储器的任何电源中断。EERAM提供对SRAM阵列无限的写操作,允许用户不断地向设备写操作。由于功率损失事件通常是随机或不可预测的,EERAM工作在绝对不会丢失任何突然的功率损失快速变化的SRAM数据的应用程序中。它为数据记录/黑盒或监控系统的设计人员提供了一种安全、可靠和自动存储断电事件之前最后数据字节的安全、准确的方法。连接到V(帽)引脚的电容器提供必要的能量,以安全地复制RAM的内容到安全的非易失性备份时,电源损失。上电时,数据自动从非易失性单元召回到SRAM。


应用程序
  • 8位串行SRAM具有内部非易失性数据备份
  • 高速串行外围接口(SPI):高达66 MHz,带有Schmitt触发器输入,用于噪声抑制
  • 低功耗CMOS技术:
    • 有效电流:5 mA (max)
    • 待机电流:500μA (max)
    • 休眠电流:3μA (max)
  • 基于单元的非易失性备份对单元间的SRAM阵列进行镜像,并并行地向/从SRAM单元间传输所有数据(所有单元同时进行)
  • 看不见的用户数据传输:V(CC)级别监控设备内部,SRAM自动保存在电源中断,和SRAM自动恢复在V(CC)返回
  • 至少100,000个备份(+20°C时)
  • 100年保留率(+20°C)
  • 工作电压范围:2.7 V至3.6 V
  • 温度范围内工业(I) -40°C + 85°C,扩展(E) -40°C + 125°C
  • 8-SOIC(150密耳宽)封装
  • 更高的密度及更广泛的应用范围(64至1兆比特)

  • 安全读、安全写的CRC选项
  • 可靠地保存数据通过任何电源损耗事件
  • 自动和安全的存储数据的电源损耗
  • 每次上电时自动恢复数据到SRAM
  • 不需要电池
  • 对标准串行SRAM存储器的无限读写
  • 写入内存的次数,只要用户选择
  • 用户可以任意选择从内存中读取数据
  • 写和读可以一次随机地访问一个字节,也可以是多次的读和写
  • 成本最低的非易失性SRAM解决方案,使用SRAM和非易失性的标准CMOS存储单元
  • 明显比竞争对手FRAM和nvSRAM技术更便宜
  • 低功耗
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