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ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor BM60212高低侧驱动

来源：HQBUY 发布时间：2021-01-26

摘要： ROHM的驱动器工作电压高达1200 V，可以驱动n通道mosfet和igbt

ROHM的BM60212FV-C是高侧和低侧驱动IC, bootstrap工作高达1200 V，可以驱动n通道功率mosfet和igbt。内置欠压锁定(UVLO)功能和米勒钳位功能。

特性

AEC-Q100合格
高侧浮动电源电压1200 V
活跃的米勒夹紧
欠压锁定功能
3.3 V和5.0 V输入逻辑兼容等级1
最大栅极驱动电压:24 V

MOSFET栅极驱动程序
IGBT门司机
高侧浮动电源电压:1200 V
开机/关机时间:75纳斯(最大)
逻辑输入最小脉冲宽度:60纳秒

典型应用电路

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