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NXP Semiconductors MHT2012N参考电路的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-12-17

摘要： NXP Semiconductors MHT2012N参考电路旨在实现MHT2012N射频LDMOS集成功率放大器的快速评估和原型设计。MHT2012N功率放大器是为工作在2450MHz ISM频段的射频能量应用而设计的，最高可达32V (...

NXP Semiconductors MHT2012N参考电路旨在实现MHT2012N射频LDMOS集成功率放大器的快速评估和原型设计。MHT2012N功率放大器是为工作在2450MHz ISM频段的射频能量应用而设计的，最高可达32V (DD)操作。

特性

MHT2012N射频LDMOS集成功率放大器
与离散设计相比，高增益简化了布局并减少了PCB面积
最大可达32V(DD)操作
片上输入和级间匹配(50欧姆输入)
集成的静态电流温度补偿功能，具有开启/关闭功能
集成的ESD保护

性能

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