NXP Semiconductors MRFX1K80H参考电路允许对NXP MRFX1K80射频功率晶体管进行快速评估和原型制作。NXP MRFX1K50射频功率LDMOS晶体管结合了高射频输出功率，优越的强度和热性能。MRFX1K80晶体管设计为在65V连续波(连续波)下提供1800W，应用范围从1MHz到470MHz，并能够处理65:1电压驻波比(VSWR)。

特性

• 用于评估NXP MRFX1K80射频功率晶体管

• 高电压可实现高输出功率密度，减少元件数量，简化设计

• 快速开发时间增加的输出功率可以在保持合理输出阻抗的同时增加，简化阻抗匹配

• 与NXP MRF1K50H和MRF1K50NR5 50V LDMOS晶体管的引脚到引脚兼容性，使射频设计人员可以在更短的时间内重用现有的电路板设计

• 高压降低了系统中的电流，限制了直流电源的应力，减少了磁辐射

• NXP 65V LDMOS技术的击穿电压为182V，提高了可靠性和高效率架构

应用程序

• 工业、科学、医疗(ISM)

• 激光的一代

• 等离子体生成

• 粒子加速器

• MRI，射频消融，皮肤治疗

• 工业加热、焊接和干燥系统

• 无线电和甚高频电视广播

• 航空航天

• 甚高频全向测距(VOR)

• 高频通信

• 气象雷达