张明 IS26KL256S HyperFlash 非易失性存储器是一个高速CMOS，镜像轨道 或闪存设备与HyperBus低信号计数双数据率(DDR)接口。这种非易失性存储器是一个3V的超闪存，密度为256Mb，速度为100MHz。IS26KL256S超快闪非易失性存储器工作温度范围为-40°C至85°C工业温度范围。这个存储器提供读和写操作的超快闪存设备是burst定向的。特性包括高达333Mb/s的持续读吞吐量和连续突发事务。

特性

• 3V I/O和11总线信号

• 单端时钟

• 读写数据频闪

• 超快闪存储器只使用RWDS作为读取数据的频闪器

• 高达333MB/s的持续读吞吐量

• DDR是每个时钟传输两个数据

• 时钟速率(200Mb/s) @ 3V(VCC)

• 连续爆炸交易

• 低功耗模式:
  

• 8µ(典型的)

• 300µ年代唤醒

• 25µ(典型的)不需要唤醒

• 12mA不需要叫醒

• 读时主动时钟停止:

• 备用:

• 深刻的省电:

• 可配置的破裂特征:

• 32字节(16个时钟)封装突发长度

• -40°C至85°C工业工作温度范围

• 先进的行业保护:

• 每个部门的挥发性和非挥发性保护方法

• 部门删除:

• 统一256 kb的行业

• 可选8个4kB的参数扇区(共32kB)

IS26KL256S逻辑框图

IS26KL256S包装尺寸