摘要: 德州仪器UCC21750/UCC21750- q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离的栅极驱动程序,设计用于2121V直流工作电压以下的SiC mosfet和igbt,具有先进的保护功能。它提供了最好的动态性能和鲁棒性。UCC21750/UCC...
德州仪器UCC21750/UCC21750- q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离的栅极驱动程序,设计用于2121V直流工作电压以下的SiC mosfet和igbt,具有先进的保护功能。它提供了最好的动态性能和鲁棒性。UCC21750/UCC21750- q1峰值源电流和吸收电流为±10A。输入端与输出端用SiO隔离 (2)电容隔离技术,支持高达1.5kV (RMS)工作电压12.8kV (PK)增加免疫力。它具有超过40年的隔离屏障寿命,以及提供较低的部分到部分的倾斜,和>150V/ns共模抗噪(CMTI)。
UCC21750/UCC21750- q1包括最先进的保护功能,如快速过流和短路检测,分流电流传感支持,和故障报告。它还包括主动米勒钳,以及输入和输出侧电源UVLO,以优化SiC和IGBT开关行为和鲁棒性。PWM传感器的隔离模拟可用于更容易的温度或电压传感,进一步增加驱动器的通用性,并简化系统设计工作、尺寸和成本。UCC21750-Q1设备符合AEC-Q100汽车应用资格。
5.7kV(RMS)单通道隔离栅驱动器
SiC mosfet和igbt最高可达2121V(pk)
最大输出驱动电压(V(DD)-V(EE))
±10A驱动强度和分流输出
150 v / ns最低CMTI
200ns响应时间快速保护
4A内部主动铣刀夹
当故障发生时,400mA软关
带有PWM输出的隔离模拟传感器
使用NTC、PTC或热二极管进行温度传感
高压直流或相电压
告警flon过流,从RST/EN复位
Fast启用/禁用RST/EN的响应
拒绝<输入引脚上的瞬态噪声和脉冲
12V V(DD) UVLO,电源接通RDY
输入/输出过/欠冲瞬态电压抗扰度可达5V
130ns(最大)传播延迟和30ns(最大)脉冲/部分倾斜
soic - 16dw封装,漏电,间隙距离>8毫米
工作结温度-40°C至150°C
工业马达驱动器
服务器、电信和工业电源
不间断电源(UPS)
太阳能逆变器
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