罗姆半导体R800xxND3FRA n通道汽车功率mosfet是具有简单驱动电路的低导阻mosfet。这些mosfet具有快速开关速度，无铅电镀，并且是AEC-Q101合格的。R800xxND3FRA mosfet在DPAK (TO-252)包中可用。这些mosfet适用于开关电源。

特性

• 低导通电阻

• 包含简单的驱动电路

• 转换速度快

• 无铅电镀

• AEC-Q101合格

• 通过无铅认证

规范

• 800V漏源极电压(V(DSS))

• 在DPAK (TO-252)包中可用

• 工作温度范围:-55°C ~ 150°C

• R8001CND3FRA:

• 8.7欧姆静态漏源通态电阻

• ±1A连续漏极电流

• 36W功耗(P(D))

• R8002CND3FRA:

• 4.3欧姆静态漏源通态电阻

• ±2A连续漏极电流

• 69W功耗(P(D))

• R8007AND3FRA:

• 1.6欧姆静态漏源通态电阻

• ±7A连续漏极电流

• 140W功耗(P(D))

内部电路图

性能图表