摘要: 德州仪器LMG3411EVM-031子卡在半桥中配置两个LMG3411R150 GaN fet,具有循环过电流保护功能和所有必要的辅助外围电路。驱动高频电流回路的基本功率级和栅极完全封闭在板上,以减少寄生电感,降低电压过冲,并提高性能。德州...
德州仪器LMG3411EVM-031子卡在半桥中配置两个LMG3411R150 GaN fet,具有循环过电流保护功能和所有必要的辅助外围电路。驱动高频电流回路的基本功率级和栅极完全封闭在板上,以减少寄生电感,降低电压过冲,并提高性能。德州仪器LMG3411EVM-031配置为插座式外部连接,便于与外部电源级接口,在各种应用程序中运行LMG3411R150。
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