瑞萨电子高性能串行MRAM的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > 瑞萨电子高性能串行MRAM的介绍、特性、及应用

Semiconductors

瑞萨电子高性能串行MRAM的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-28

摘要： 瑞萨电子高性能串行MRAM是一种非易失性磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，具有高达108MHz的读写速度。MRAM技术类似于闪存技术，具有与SRAM兼容的读写计时(持久性SRAM, P-SRAM)。数据始终是非易失的，写周期为1016，在...

瑞萨电子高性能串行MRAM是一种非易失性磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，具有高达108MHz的读写速度。MRAM技术类似于闪存技术，具有与SRAM兼容的读写计时(持久性SRAM, P-SRAM)。数据始终是非易失的，写周期为1016，在+85°C下保存时间大于20年。MRAM是一种真正的随机存取存储器;允许读和写都在内存中随机发生。MRAM是必须存储和检索数据而不会引起大延迟的应用程序的理想选择。它提供低延迟、低功耗、无限耐力和可扩展的非易失性内存技术。

特性

接口
- 串行外设接口QSPI (4-4-4)
- 单数据速率模式:108MHz
- 双数据速率模式:54MHz
技术
- 40 nm pMTJ STT-MRAM
- 数据续航:10(16)写周期
- 数据保存期:+85°C条件下20年
密度
- 4 mb, 8 mb, 16 mb
工作电压范围
- VCC: 1.71V至2.0V
- VCC: 2.7V至3.6V
工作温度范围
- 工业:-40°C到+85°C
- 工业+:-40°C到+105°C

包
- 8-pad DFN (WSON) (5.0mm x 6.0mm)
- 8针SOIC (5.2mm x 5.2mm)
数据保护
- 基于硬件的:写保护Pin (WP#)
- 基于软件:地址范围可选择通过配置位(顶部/底部，块保护[2:0])
识别
- 64位的惟一ID
- 64位用户可编程序列号
增强存储阵列
- 256字节用户可编程与写保护
支持电平复位
通过无铅认证

应用程序

非常适合那些必须存储和检索数据而不会引起大延迟的应用程序
工厂自动化
多功能打印机

工业控制与监控
医学诊断
数据交换机和路由器

文档

数据表

家庭的概述

应用笔记

编程非易失性寄存器到回流后的出厂默认状态

框图

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：Microchip Technology AgileSwitch ASB-001器件编程工具包的介绍、特性、及应用

下一篇：德州仪器TPS62864/TPS62866同步降压转换器的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308