垂直晶体管，沟道长度取决于半导体厚度的晶体管，对于新一代电子设备的研发可能非常有价值。与传统的平面晶体管不同，传统的平面晶体管是分层构建的，并且所有连接都在同一平面上，事实上，垂直晶体管可能更便宜，更容易制造。

到目前为止，创建具有短沟道长度的垂直器件已被证明具有很高的挑战性，这主要是由于高能金属化工艺对接触区造成的损坏。因此，确定制造沟道长度较短的垂直晶体管的替代策略是实现这些器件大规模生产的关键步骤。

中国湖南大学的研究人员最近设计了一种低能量范德华金属集成技术来制造具有短沟道长度的二硫化钼(MoS 2 ) 垂直晶体管。使用发表在Nature Electronics 上的一篇论文中概述的这种技术，他们能够创建通道长度低至一个原子层的垂直晶体管。

研究人员在他们的论文中写道：“我们表明，可以使用低能范德华金属集成技术创建通道长度低至一个原子层的二硫化钼 (MoS 2 ) 垂直晶体管。” “该方法使用机械层压并转移到 MoS 2 /石墨烯垂直异质结构顶部的预制金属电极，导致通道长度为 0.65 nm 和 3.60 nm 的垂直场效应晶体管的开关比分别为 26 和 10³。”

湖南大学的Liting Liu和团队的其他成员在一系列测试和实验中评估了他们创造的垂直场效应晶体管的性能。为了进行这些评估，他们使用了一种称为扫描隧道显微镜的技术，并在低温下收集了电测量值。

研究人员在他们的论文中写道：“使用扫描隧道显微镜和低温电测量，我们表明电性能的提高是高质量金属半导体界面的结果，具有最小的直接隧道电流和费米能级钉扎效应。”纸。

在 Liu 和她的同事进行的初步评估中，基于MoS 2的垂直晶体管取得了非常有希望的结果。与之前提出的具有短沟道长度的垂直器件相比，事实上，它们表现出明显更好的电气性能。

这组研究人员开发的新型垂直晶体管最终可以制造具有更短栅极长度的新型电子器件。研究人员提出的金属集成技术也可以被其他团队用来创建具有不同沟道长度的类似垂直晶体管。

此外，最近论文中提出的集成方法可以应用于其他层状材料，例如二硒化钨和二硫化钨。这又可以使其他亚 3 纳米 p 型和 n 型垂直晶体管的制造成为可能。