ROHM Semiconductor  RFxDNZ超快速恢复二极管是一种阴极普通双型二极管，具有低正向电压和低开关损耗。这些恢复二极管包括硅外延平面型结构。RFxDNZ恢复二极管的存储温度范围为-55°C至150°C。这些快速恢复二极管工作在150°C结温和10μA反向电流。RFxDNZ超快恢复二极管是理想的使用在一般整流。

特性

• 低正向电压

• 硅外延平面型结构

• 低开关损耗

• 阴极共双型

规范

• -55°C ~ 150°C存储温度范围

• 工作结温150°C

• 10μ反向电流

• RF1001T2DNZ二极管:

• 0.93V正向电压@ I(F)=5A

• RF1601T2DNZ二极管:

• 0.93V正向电压@ I(F)=8A

• RF2001T2DNZ二极管:

• 0.93V正向电压@ I(F)=10A

• RF2001T3DNZ二极管:

• 1.3V正向电压@ I(F)=10A

• RF601T2DNZ二极管:

• 0.93V正向电压@ I(F)=3A

应用程序

• 一般整流