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意法半导体RF3L05150CB4射频功率LDMOS晶体管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-07-20

摘要: 150W, 28/32V LDMOS FET设计用于宽带通信和ISM应用。

    意法半导体RF3L05150CB4射频功率LDMOS晶体管是一款150W, 28/32V的LDMOS FET,设计用于宽带通信和ISM应用。STM RF3L05150CB4 LDMOS晶体管设计用于频率从HF到1GHz的应用。RF3L05150CB4可用于AB类、B类或C类所有典型调制格式。


    特性

    • 高效率和线性增益操作

    • 集成的ESD保护

    • 符合欧洲指令2002/95/EC

    • 较大的正负栅源电压范围,用于改进C类操作


    应用程序

    • 2MHz ~ 30MHz高频或短波通信

    • 30MHz ~ 88MHz地面通信

    • 118MHz到140MHz的航空电子设备

    • 136MHz至174MHz商用地面通信

    • 30MHz至512MHz干扰机,地面/空中通信

    • 高频至1000MHz ISM -仪器仪表


    引脚图


    测试电路布局

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