摘要: 演示了SOI高侧和低侧2ED2101S06F栅极驱动器的开关性能。
英飞凌Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC评估板展示了SOI高侧和低侧2ED2101S06F栅极驱动器的开关性能。2ED2101S06F是一种高电压、高速功率的MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高、低侧参考输出通道,谐振槽开关频率在500kHz范围内。
Infineon EVAL 2ED2101 HB-LLC评估板允许快速原型和短时间上市,以更快的市场进入。
输入电压350 - 425VDC
16.7A时最大200W, 400VDC电源输入,气流冷却充足
过电流保护
升高领导报告
控制板为ICE2HS01G
辅助电源,隔离13V和5V作为二次侧电源
PCB为65mm × 137mm, 4层,2oz。铜
通过无铅认证
高压电源(最小430VDC, 1A电流能力)
最大电阻负载。16.7A负载电流(电负载)或0.71欧姆总电阻
英飞凌电源和传感选择指南
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