英飞凌Infineon Technologies 4G/5G低噪声放大器专为LTE和5G设计，覆盖广泛的频率范围。4G/5G低噪声放大器的增益步长具有增益和线性度，可以调整以增加动态系统范围，并适应不断变化的干扰场景。

Infineon Technologies 4G/5G低噪声放大器支持2µA和1.2V工作电压的超低旁路电流，以降低功耗。设备工作在1.1V到2.0V供电电压过温。

放大器封装在一个紧凑的九脚TSNP-9封装，尺寸为1.1mm x 1.1mm，节省PCB上的空间。

特性

• 高线性度

• 最佳噪声图

• 低电流消耗

• 1.5V ~ 3.3V供电电压

• 超薄

• 单个LNAs: TSNP-6-2无铅封装(占地面积:1.1mm x 0.7mm(2))

• 四线组:TSLP-12-4无铅封装(占地面积:1.1 x 1.9mm(2))

• B7HF硅锗碳(SiGe: C)技术

• RF输出内部匹配50欧姆

• 外部元件计数低

• 2kV HBM ESD保护

• 无铅(符合RoHS)封装

应用程序

• 智能手机

• 平板电脑

• Datacards

• M2M通信

框图

MIPI到RF时间

英飞凌电源和传感选择指南