近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布表了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产。

据介，这款232 层堆栈的 3D NAND Flash采用的是3D TLC 架构，原始容量为 1Tb（128GB）。而且，该存储器基于美光的 CuA 架构，并使用 NAND 字符串堆栈技术，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。

而在 CuA 设计的 232 层堆栈的3D NAND Flash中，将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺寸，这有望于降低生产成本，使美光能够对采用这些存储器的设备进行更有竞争力的定价，或者增加其利润率。

不过，美光并没有宣布其新的 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片的 I/O 速度或平面数量，但暗示与现有的 3D NAND Flash相比，新的存储器将提供更高的性能，这对采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特别有用。

此外，美光还强调 232 层堆栈的 3D NAND Flash将比上一代的产品更功耗更低，使用在低功耗产品上更具节能优势。

美光的技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出，该公司已经与内部和第三方 NAND Flash 控制 IC的开发者密切合作，以建立对新型存储器的支援。美光预计 2022 年年底开始生产 232 层堆栈的 3D NAND Flash ，预计采用新存储器的固态硬盘将在 2023 年左右问世。

值得一提的是，美光同一时间还宣布，鉴于存储芯片价格频繁波动，将签实验性芯片供应长期合约，为期三年，试图缓和芯片价格波动。此外，美光也看好云端需求及汽车芯片应用，存储芯片未来需求长期看多。

美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana说：“我很高兴在此宣布，已经有十家客户与我们签署这种新型态合约，为期三年，每年销售额超过5亿美元。”

Sumit Sadana不愿预测会有多少客户改使用美光的实验性长合约，强调这种销售机制还处于实验性阶段。他表示，目前销售合约是基于供应量，没有规范价格。新的实验性质长约既规定出货量，也根据预期售价做出定价。

他承认，在这种价量皆有约束的新形态长约中，到时总有一方会因市场现货价格与合约价格有价差，遭遇不利状况。不过，美光不打算藉由降低获利率来推广这种新型态长期合约，“市场价格有起有伏，但长期而言，（价格稳定）最终会是利大于弊。”

美光在12日的投资人会议上简报说，旗下生产的DRAM及NAND闪存的后续市场看好，预期长期营收增长量会落在接近10%的个位数。汽车、数据中心及工业端应用将推动更多芯片需求。

美光CEO Sanjay Mehrotra对近三年的增长前景尤其有信心，他认为到2025年为止，每年的NAND Flash闪存的需求量都将有接近30%的高增长量。

编辑：芯智讯-林子