近日，希科半导体宣布完成Pre-A轮融资，融资总额为5000万元人民币，本轮融资由天堂硅谷、晨道资本两家业内知名机构领投，云懿资本作为天使轮投资人继续加持。这次融资将主要用于希科半导体SiC外延片的研发和产业化，加快其在市场上的推广和应用。

        作为一家专注于碳化硅（SiC）材料、器件及模块的设计、生产和销售的高新技术企业，希科半导体致力于在SiC领域取得技术突破，提升我国在这一领域的技术水平和全球地位。

        目前，碳化硅材料是下一代功率半导体器件的关键材料，具有高温性能、高电子迁移率和较小的漏电流等优点，可以实现更高的电气性能和更低的功耗。希科半导体在碳化硅领域拥有强大的技术实力和研发能力，其SiC外延片生产线已经成功建成，成为国内外最先进的生产线之一。

        此次融资的完成，将有力地推动希科半导体在SiC外延片领域的技术升级和产品创新。同时，希科半导体也将加大对人才的招聘和技术的储备，以保持自身在技术研发和产业化方面的领先地位。

        据悉，希科半导体的SiC外延片采用了自主知识产权的生长技术，具有很高的生长速率和较低的杂质浓度，能够实现更好的物理性能和更佳的制造成本控制。目前，希科半导体的产品已经被广泛应用于汽车、电力、新能源等领域，在市场上具有广阔的前景和潜力。

        此次Pre-A轮融资的完成，不仅充分体现了希科半导体在碳化硅领域的技术优势和市场前景，也进一步推进了中国在这一领域的发展和创新能力。未来，希科半导体将继续致力于技术研发和产业化，为中国新能源、电力等行业的健康发展做出更大的贡献。