图1的5V输出在主5V电源丢失期间保持不间断。更重要的是，它保持±5%的输出容限，同时提供1A 80分钟。

正常工作时，主电源由监控电路(IC1)的V(CC)端子监控。该芯片通过断言RESET高来保持Q2。当打开时，Q2保持dc-dc控制器(IC2)处于关机模式，打开Q1，打开Q3，将涓流充电路由到电池组。

当主电源电压低于IC1的复位阈值(通常为4.65V)时，reset迅速关闭Q2和Q3，使IC2停止。然后，IC2将不可中断输出提升回5V。在主电源降到阈值以下后，无论电压是否回到阈值以上，RESET都保持低电压200ms。这个动作保证了切换的有序完成。

Q1是一个低r(DS(ON))， p沟道MOSFET，在1A时仅下降60mV。它的连接——漏极到主电源，源极到不间断5V输出——与p通道高侧开关的通常配置相反。所示的连接防止Q1的主体二极管在主电源故障时耗尽电池。此外，当主电源最初打开时，该二极管导通，这确保栅极驱动足以使MOSFET完全打开(约4.5V)。

电池制造商(Ovonic)建议您对2300mAh镍氢(NiMH)电池进行230mA的涓流充电。为了避免超过推荐的速率，必须根据Q3的最坏情况(最高)beta值选择R2。测试范围是100到300。所以，对于±10%的电源，R2应该是6k欧姆。如果有12V电源，您可以通过添加电池充电器IC来控制充电速率来减少电池的充电时间。