DS2045L: 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM Data Sheet

来源：analog 发布时间：2023-12-14

摘要： DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内，采用256焊球BGA封装。模块的V(CC)上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，可以修改SRAM内容。V(CC)断电或超出容限范围时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045L还带有电源监测输出、/RST指示，复位输出可用于CPU监控功能。.

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