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摘要： DS1258 128k x 16非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V(CC)是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1258器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 .
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