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摘要： 该图纸记录了高性能砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)，伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT) 0.4 GHZ至11 GHZ低噪声放大器微电路的一般要求，工作温度范围为-55°C至+125°C。
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