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摘要： 提供字节灵活性、页面可更改性、高页面循环和超低功耗。
意法半导体M95P08-x超低功耗串行SPI页eeprom具有先进的专有NVM技术。M95P08-x提供字节灵活性、页面可变性、高页面循环性能和相当于EEPROM技术的超低功耗。这些8 mbit SPI页EEPROM设备被组织为2048个可编程页，每个页512字节，可通过具有高性能双和四SPI输出的SPI总线访问。设备提供了两个额外的(标识)512字节页面:一个包含标识数据，并在请求时包含UID;第二个可用于存储敏感的应用程序参数(可以永久锁定在只读模式)。附加的状态、配置和易失性寄存器设置所需的设备配置，而安全寄存器提供有关设备状态的信息。
M95P08-I工作电压为1.6 ~ 3.6 V，工作环境温度范围为-40℃~ +85℃。M95P08-E提供-40°C至+105°C的扩展温度范围，时钟频率高达80MHz。意法半导体M95P08-x页eeprom的特点是字节和页写入指令高达512字节。写指令由自定时自动擦除和程序操作组成，从而实现灵活的数据字节管理。也接受页/块/扇区/芯片擦除命令，并将存储器设置为擦除状态。然后可以通过512字节的页面对内存进行快速编程，并使用带有缓冲加载指令的Page程序进一步优化，以隐藏SPI通信延迟。
接口
50MHz读单输出
80MHz快速读取单/双/四输出与一个虚拟字节
-40°C至+85°C工业
-40°C至+105°C扩展
支持串行外围接口(SPI)和双/四输出
1.6V至3.6V宽范围
温度范围
读
内存
100年
50万次循环后的10年
64字节的块，4字节的扇区
512字节页面大小
2张证件页
8兆页EEPROM
在全温度范围内500k循环写入耐力
数据保留
超低功耗
0.6μA深度下电模式
在待机模式下，一般为16μA
800μA 10MHz读单的典型值
1.5mA典型的页面写入
电流峰值控制小于3mA
高写/擦除性能
对于512字节的字节和页写入(包括自动擦除和程序)，通常为2ms
Page程序通常为1.2ms(512字节)
Page擦除的典型时间为1.1ms
扇区擦除的典型时间为1.3ms
块擦除的典型时间为4ms
芯片擦除的典型时间为4毫秒
快速写入/编程/擦除时间
页程序与缓冲加载
ECC用于高内存可靠性(DEC, TED)
施密特触发输入噪声滤波
输出缓冲器可编程强度
ISO26262的操作状态标志
软件复位
写保护块，与顶部/底部的选项
请求时的唯一ID
电子标识
支持SFDP (serial flash可发现参数)模式
JEDEC标准制造商标识
增强ESD防护HBM(人体模型)
ECOPACK2型2mm × 3mm DFN8, SO8N，或WLCSP8封装
无卤素，符合RoHS标准
穿戴
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