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摘要： 逻辑级兼容，快速切换，并在175°C下完全符合AEC-Q101标准。
安派瑞BXK9Q29-60A n沟槽MOSFET是一种采用沟槽MOSFET技术的小型SOT8002-3 (MLPAK33) SMD塑料封装中的增强模式场效应晶体管(FET)。该n沟道MOSFET具有逻辑级兼容，快速开关，并且在175°C下完全符合AEC-Q101标准。BXK9Q29-60A沟槽MOSFET的最大漏源电压为60V，最大漏极峰值电流为84A，最大总功耗为27W。该n沟道MOSFET还具有23.7毫欧典型漏源导通电阻，25mJ最大非重复漏源雪崩能量和15.8A最大非重复雪崩电流。BXK9Q29-60A沟槽MOSFET符合欧盟/CN rohs标准。典型应用包括LED照明、开关电路和DC-DC转换。
逻辑电平兼容
非常快的切换
沟槽MOSFET技术
175°C下符合AEC-Q101标准的全自动驾驶
用于光学焊料检查的可湿侧面
最大漏源电压60V
最大峰值漏极电流
最大总功耗27W
23.7毫欧典型漏源导通电阻
25mJ最大非重复漏源雪崩能量
15.8最大非重复雪崩电流
结温范围-55℃至175℃
LED照明
开关电路
直流-直流转换
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