S2M0080120N 1200v碳化硅MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-06-12

摘要： SMC Diode Solutions的S2M0080120N 1200 V碳化硅MOSFET具有快速开关速度和低开关损耗的特点。

SMC Diode Solutions的S2M0080120N是封装在SOT-227外壳中的单SiC功率MOSFET。该器件是一种高电压、n通道、增强模式MOSFET，在极端温度下具有非常低的总导通损耗和非常稳定的开关特性。S2M0080120N是在具有挑战性的环境中对能量敏感的高频应用的理想选择。

特性

正温度特性使其易于并联
低导通电阻:77 毫欧典型R(DS(ON))
切换速度快
低开关损耗
快速和稳健的本体二极管
电镀不光亮锡的工艺

应用程序

电动汽车快速充电模块
EV车载充电器
太阳能逆变器
在线/工业UPS
smp
直流/直流转换器
储能系统

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