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Vishay推出新款缓冲电容器MKP386M

来源:http://news.hqew.com/info-270542.html 发布时间:2013-04-10

摘要: VishayIntertechnology, Inc.日前宣布,推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay RoedersteinMKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上...

       Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay RoedersteinMKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF到10μF,可在+105℃高温下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7个电压等级。

       MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流,寿命超过30万小时,可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰,这种尖峰是电磁干扰(EMI)的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器,以及风力机逆变器、中功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。Vishay还提供结构长度58mm的器件,用于高功率IGBT模块。


      缓冲电容器的ESR低至1.5mΩ,容量公差±5 %,引线间隔的每毫米自感为0.7nH,RMS电流高达20A。器件采用阻燃塑料外壳和环氧树脂密封,无铅、无卤素,符合RoHS指令。

       MKP386M现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十周到十二周。

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