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飞兆针对空间和能耗为题扩展其MOSFET产品系列

来源:http://news.hqew.com/info-261423.html 发布时间:2012-08-17

摘要: 提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外,这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案,以便最大限度地减小线路板空间,同时提高效率和降低功耗。有鉴于...

       提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外,这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案,以便最大限度地减小线路板空间,同时提高效率和降低功耗。有鉴于此,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench? MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。

                                           

       这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员,是结合低栅极电荷(QG)、低反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品,可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款,由于采用优化的软反向恢复体二极管,减少了缓冲器电路的功耗,与竞争解决方案相比,可将电压尖刺减少多达15%。

 

       这些器件采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅极结构,从而达到较高的功率密度、较低的振铃和更好的轻载效率。通过使用这项技术,新器件获得了较低的品质因数(QG × RDS(ON)),同时降低驱动损耗来提高功率效率。

 

       这一系列的首批器件包括采用Power56封装的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件,以及采用TO-220 3引脚封装的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。

 


特性和优势

 

·         较小的封装尺寸(Power56和TO-220 3引脚封装),具有最大的热性能/系统尺寸比

·         较低的QG以降低栅极驱动损耗

·         低QGD/QGS比,防止不必要的误导通,提高系统可靠性

·         低动态寄生电容,减少高频应用的栅极驱动损耗

·         100% UIL测试

·          满足RoHS要求

 

       新增的PowerTrench? MOSFET器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容,作为齐全的PowerTrench技术产品系列的一部分,它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求,在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。

 

       价格:订购1,000个

       FDMS015N04B:       每个1.78美元

       FDMS039N08B:       每个1.60美元

       FDP020N06B:    每个4.50美元

       FDP027N08B:    每个3.30美元

 

       供货: 按请求提供样品

       交货期: 收到订单后8至12周内(责编:damon)

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