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IR推出适用于汽车的DirectFET2 功率 MOSFET

来源:http://news.hqew.com/info-162419.html 发布时间:2010-02-01

摘要: IR 推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET 2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅,与传...

IR 推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET 2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。

IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅,与传统标准塑料封装元件相比,可降低整体系统级尺寸和成本,实现更优异的性能和效率。

采用新款大罐式封装的 AUIRF7739L2 具有业内最低的导通电阻,在给定 PCB 区域 40V 电压时的导通电阻典型值仅为 0.7mΩ 。此外,与 D2PAK 相比,大罐式封装的占位面积可以减少60%,厚度可以降低85%。这款器件可提供卓越的功率密度和效率,非常适合高负载电机控制应用,包括电动助力转向系统 (EPS) 和微型混合动力车的电池开关和集成式起动发电机 (ISA) ,以及底盘、传动系统和动力系统等。

AUIRF7665S2 小罐器件可提供极低的栅极电荷,表现出非常小的寄生效应,以及快速、高效的开关性能。DirectFET2 MOSFET 是汽车开关应用的理想选择,包括D类音频放大器的输出级电路,以及 DC-DC 转换器和燃油喷射系统。

AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 均符合 AEC-Q100 标准,是在 IR 要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合有害物质管制指令 (RoHS)。

产品基本规格

器件编号

封装

Vds

典型Rds(on)

最大Rds(on)

典型Qg

AUIRF7739L2

DF2 L Can

40V

0.7mΩ

1mΩ

220nC

AUIRF7665S2

DF2 S Can

100V

51mΩ

62mΩ

8.3nC

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