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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
60V N沟道增强型MOSFET
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | DIODES INC |
| 零件包装代码 | TO-261AA |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 16 weeks |
| 风险等级 | 1.63 |
| Samacsys Confidence | 3 |
| Samacsys Status | Released |
| 2D Presentation | |
| Schematic Symbol | |
| PCB Footprint | |
| 3D View | |
| Samacsys PartID | 3782412 |
| Samacsys Image | |
| Samacsys Thumbnail Image | |
| Samacsys Pin Count | 4 |
| Samacsys Part Category | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category | SOT223 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name | sot-223 |
| Samacsys Released Date | 2019-10-10 02:57:48 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 37.5 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 4.1 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.068 欧姆 |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-261AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3.7 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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