DIODES/美台
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.12ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SM-8, 8 PIN
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
60V P沟道增强型MOSFET
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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
双P沟道60V增强型MOSFET
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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
双P沟道60V增强型MOSFET
DIODES/美台
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
双P沟道60V增强型MOSFET
DIODES/美台
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
双P沟道60V增强型MOSFET
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Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 100V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN
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60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET
SO8 60V N沟道增强型MOSFET
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60V DPAK N-channel enhancement mode MOSFET
DPAK 60V N沟道增强型MOSFET
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
40V N沟道增强型MOSFET
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
30V N沟道增强型MOSFET采用DPAK
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20V SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET
SOT23-6 20V N沟道增强型MOSFET
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200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
200V N沟道增强型MOSFET
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
20V N沟道增强型MOSFET
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
100V N沟道增强型MOSFET
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