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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
双P沟道60V增强型MOSFET
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | DIODES INC |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | SOP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 17 weeks |
| 风险等级 | 1.36 |
| Is Samacsys | N |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 2.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.125 欧姆 |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.15 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 11.1 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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