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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, QFN5X6, 8 PIN
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | GOOD-ARK ELECTRONICS CO LTD |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 风险等级 | 5.69 |
| 其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 240 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 60 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.02 欧姆 |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 240 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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