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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY CORP |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PDIP-T8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.95 |
| 风险等级 | 5.84 |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.05 欧姆 |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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