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带VID的LTC1778和LTC3711通过降压稳压器的新架构解决了这些问题,该架构可提供现代便携式电源所需的低输出电压和高效率。
在单电源系统中,不需要二极管;虽然一个二极管可以保留反向条件,它的正向降损失是一个显著的惩罚。
LTC1799提供了一种替代方案,将陶瓷谐振器的频率稳定性和精度与RC振荡器的灵活性和易用性相结合,同时所需的空间比两者都少。
集成电路对其输入电源的快速瞬变响应通常是一项重要的测量。如果被测设备(DUT)是微功率设备,并且不需要输入旁路电容器,则只需使用50欧姆端接函数发生器驱动电源输入。然而,随着电流要求和电容的增加,这不再提供可接受的结果。
温度传感器ic,包括温度传感器,数字温度传感器,温度开关。
本文将研究理想二极管以及具有背靠背MOSFET的更先进器件。它还将引入一个理想的二极管解决方案,集成了整个系统保护的功能。二极管是非常有用的器件,在许多应用中都很重要。标准硅二极管的电压降为0.6 V至0.7 V。对于肖特基二极管,它是0.3 V。一般来说,这不是一个问题,除非在高电流应用中,因为每个电压降都会产生显著的功率损失。理想的二极管将是这种应用中的理想器件。幸运的是,MOSFET可以取代标准的硅二极管,并提供意想不到的应用优势。
与现有解决方案相比,基于巨磁电阻(GMR)传感技术的真正上电多匝传感器将彻底改变工业和汽车用例中的位置传感市场,因为它降低了系统复杂性和维护要求。本文描述了在设计磁系统时必须考虑的一些关键因素,以确保即使在最苛刻的应用中也能可靠地运行。它还引入了可用于早期采用该技术的磁性参考设计。在上一篇文章中,我们介绍了多匝传感技术和一些关键应用领域,如机器人、编码器和线控转向系统。
使用电压监控器通过模式增加了基于微控制器的系统的可靠性,以防止系统错误和故障。然而,电源的缺陷,如噪声、电压故障和瞬态,可能导致错误和有害的复位,从而影响系统的行为。本文展示了电压监控器如何解决可能触发错误和有害重置的因素,以提高系统的性能和可靠性。
这些器件在正逻辑中执行布尔函数Y = A⊕B或Y = AB + AB。
该器件是一个四重正nand栅极,设计用于2V至5.5V的VCC工作。
设备是四总线缓冲门,具有独立的线路驱动器,具有3状态输出。
专为需要小型,低成本和高可靠性表面贴装组件的应用而设计。
宽带/有线电视,移动基础设施和通用无线应用的理想选择。
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