（华强电子世界网讯）韩国三星电子日前开发成功了pMOS导通电流高达2.31mA/μm的新型双栅晶体管“MBC（multi-bridge-channel）FET”。开关特性也不错，为75mV/dec。该公司2004年6月就n型MBCFET进行了技术发表...

（华强电子世界网讯）IDT™公司（Integrated Device Technology, Inc.）近日宣布推出d sampling of its 最新先进存储器缓冲器(AMB) 样品，服务于多种全缓冲双插线存储器模块（FB-DIMM...

（华强电子世界网讯）目前，Dallas Semiconductor推出DS1088L，一款低成本、固定频率硅EconOscillator™。DS1088L是单输出方波发生器，经过工厂校准，可产生频率为312kHz至133MHz的输出。DS...

（华强电子世界网讯）美国IBM日前面向32nm级工艺试制成功了内存单元面积仅为0.143μm2的6晶体管型的SRAM（IBM的发布资料）。采用氧化膜厚度为25nm的SOI（绝缘体上硅）底板。据IBM称，虽然此前台湾TSMC（台积电）曾在2004年6月...

（华强电子世界网讯）IBM通过在锗沟道中采用应变锗（向晶体管沟道施加压力，以提高载流子迁移率）技术，开发成功了兼容CMOS技术的生产技术。可以不影响nMOS、只将采用锗沟道的nMOS的迁移率提高到采用普通硅沟道的pMOS的3倍左右。锗沟道的加工只需在...

（华强电子世界网讯）东芝将率先在全球推出采用垂直记录方式的硬盘（HDD)，其面记录密度达133GB/平方英寸，为全球已投产硬盘中最高数值。垂直记录方式是使磁场与记录媒体盘面垂直进行磁化的记录方式，与目前一直使用的磁场与盘面平行磁化的方式相比，能以更高...

（华强电子世界网讯）Zetex日前推出两款双极晶体管——ZX5T851Z NPN 和 ZX5T951Z PNP。它们可提供超强效率的高电流运行，满足直流马达控制的所有性能需求，同时由于采用SOT89封装，可以取代封装体积更大的部件，因而更具有成本效益...

（华强电子世界网讯）皇家飞利浦电子公司（Philips）日前采用微缩超薄四方扁平无引脚（DQFN）封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％，强健...

（华强电子世界网讯）美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) (美国纽约证券交易所上市代号：NSM)宣布推出一套业界公认功能最齐备的网上设计工具 WEBENCH® Active Filter...