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近日,有消息称,国内存储芯片开发商长鑫存储(ChangXin Memory Technologies,简称CXT)计划在今年进行IPO,预计估值将达到千亿人民币。
7月4日消息,据天眼查资料显示,近日,国产内存芯片厂商——长鑫存储技术有限公司公开了名为“磁性存储器及其读写方法”、“存储节点接触结构的形成方法及半导体结构”、“半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器”等15项发明专利。
1月14日消息,在2021年,国产DRAM内存芯片厂商合肥长鑫的DRAM产能已达6万晶圆/月,预计今年的产能将翻倍,达到12万晶圆/月的水平,同时还将推出更先进的17nm工艺DDR5/LPDDR5等内存芯片。据介绍,合肥长鑫存储作为一体化存储器制造商,专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产,2018年研发国内首个8Gb DDR4芯片,2019年Q3季度量产,2020年多款国产内存已经用上了长鑫的颗粒。
天眼查显示,长鑫存储技术有限公司“半导体器件冷却装置”专利公布,申请公布日为2024年4月16日,申请公布号为CN117894707A。
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