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三星电子成功开发业界首款45nm嵌入式闪存(Embedded Flash 或 eFlash, 内置型闪存)工艺以及采用此工艺的智能卡芯片。 嵌入式闪存工艺是在控制和处理数据的系统半导体电路中,实现闪存...
全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司 (“华虹半导体”或“公司”,连同其附属公司,统称“集团”,股份代号:1347.HK) 今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。
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