DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器，采用CMOS电路设计，用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。对输入电源进行监测，判断电源电压是否超出容限范围。一旦监测到电源超出容限，将禁止芯片使能输出，完成写保护操作，并连通电池继续为SRAM供电。利用低漏电CMOS工艺，以极低的电池损率支持精确的电压监测。单片DS1323能够支持多达四个SRAM，可以采用三种存储器配置的任何一种。

除了支持电池备份外，DS1323还具备一个重要功能，可监测锂电池的剩余电量，在电池接近耗尽时发出报警信号。由于备份锂电池的开路电压在整个使用期限内保持相对稳定，需要精确测量带载情况下的电池电压。DS1323周期性地对比为内阻供电时的电池电压和适当的基准电压，实现电池监测。如果电池电压跌落到基准电压以下，电池将很快耗尽。此时，器件将触发电池报警引脚，发出需要更换电池的报警信号。 .

MAX4273评估套件(EV套件)是一个完全组装和测试的表面贴装热插拔控制器电路板，提供限流和双速/双电平故障保护。

AD5755-1是一款四路电压和电流输出数字转换器(DAC)，工作电源范围为-26.4 V至+33 V。

MAX5302在8引脚µMAX封装中结合了低功耗，电压输出，12位数字转换器(DAC)和精密输出放大器。

MAX5098A是双路输出、高开关频率DC-DC转换器，集成高边或低边n沟道开关。每路输出可配置为buck转换器或boost转换器。配置为buck转换器时，转换器1和转换器2输出电流分别为2A和1A。MAX5098A也集成了抛负载保护电路，可承受汽车应用中高达80V的瞬态电压。抛负载保护电路采用内部电荷泵驱动外部n沟道MOSFET栅极。当出现过压或抛负载时，串联保护MOSFET可吸收高压瞬变以防止损坏低压器件。

DC-DC转换器的工作电压范围较宽：4.

利用DS9093S用户可以用一两个螺钉或铆钉将iButton 永久固定在物体上。塑料基片上设计了一个嵌边正好可以适配F5封装的法兰，允许平面安装。平面侧的保护壁可减少对iButton的偶然破坏。.

MAX2900-MAX2904评估板(EV kit)简化了对MAX2900-MAX2904的测试。评估板提供对MAX2900-MAX2904的BPSK, OOK, ASK和FM调制的评估，具有完全集成的VCO，调制滤波器，集成频率合成器和电源管理功能。

评估板为IF输入和RF输出提供50欧姆 SMA连接器，具备所有关键的外围元件。所有评估板均已经过完全装配和测试。.

MAX1823是一款双限流开关，具有自动复位功能，专为USB应用而设计。

ICL761X-ICL764X系列单片CMOS运算放大器在宽电源电压范围内结合了超低输入电流和低功耗工作。

USB兼容的收发器MAX13342E/MAX13345E设计为仅需最小的电路板面积和外部元件数量，就可为低压ASIC接口提供USB连接。该系列器件完全兼容USB 2.

MAX4834/MAX4835系列是低压差线性稳压器(LDO)，具有精确的限流开关，以及集成的/FLAG或/RESET功能。这些器件工作在2.

MAX4943-MAX4946/MAX4949系列过压保护器具有低至80毫欧 (典型值) R(ON)的内部FET，可为低压系统提供高达+28V的故障保护。器件还可驱动可选的外部pFET为负载提供抵达-28V的反向电流保护。当输入电压超过过压门限时，器件关断内部FET，以防止损坏被保护元件。

所有开关均具有1.

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块V(CC)上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。V(CC)断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。.

MAX14529E/MAX14530E是带USB充电检测、低压差(LDO)稳压器以及ESD保护的过压保护控制器。两款器件具有R(ON)低至35毫欧 (典型值)的内置FET开关，为低压系统提供高达28V的故障保护。当输入电压超出过压门限时，内部FET开关关断，防止损坏被保护的元件。

充电检测功能监测USB D+和D-数据线间的短路情况。如果数据线短接在一起，且带有专用的充电器，则线路获得大于500mA的电流，用于电池充电。

过压门限(OVLO)预设为5.