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电子迁移长期以来用于研究半导体配线缺陷的形成机理及对策。伴随着半导体配线的微细化,流过配线的电流值显著上升。今天VLSI中的Al或Cu线宽为0.1μm、厚0.2μm的截面上,即使只通过1mA的电流,其电流密度也高达106A/cm2。
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