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服务器、电信、计算等高端的AC-DC开关模式电源(SMPS)应用以及工业电源应用需要较高的功率密度,因此要获得成功,设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。飞兆半导体公司(Fairchi...
随着技术的发展,消费者越来越多地利用便携设备处理业务和私人事务。由于这些便携设备中构建了众多的基础架构系统,拥有能够快速解决系统锁死的简单方案是至关重要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconduct...
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)与消费电子和移动应用领域的设计和系统工程师合作,开发新型负载开关产品,满足便携医疗设备、数码相机、GPS装置、笔记本电脑和蜂窝电话等应用对更低功耗、增强保护功能及减小封装占位面积器件的强烈需求。随着终端应用设备的体积日趋减小,飞兆半导...
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出一系列脉宽调制(PWM)控制器,新产品可让笔记本电脑电源的设计人员满足严苛的国际节能规范要求,包括强制要求工作模式下最低平均效率达到87%的能源之星(ENERGY STAR)外部电源(External Power Supply, E...
根据市场研究机构预测,从现在直到2011年手机市场将会增长15%,而且,消费者在日常生活中对多功能手机的依赖性逐步增强,因而对延长电池寿命的需求不断增长。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的低ICCT逻辑门TinyLogic器件作为满足这些需求的创新方式,提供了降低潜...
飞兆半导体公司 (FairchildSemiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30VMOSFET器件,采用Power 56封装,型号为FDMS7650。FDMS7650可以用作负载开关或ORing FET,为服务器中心 (s...
在通过USB端口或 AC/DC适配器为单节或双节锂离子(Li-Ion)电池充电时,设计人员需要能够提高充电速度并解决线性充电器相关的散热问题的解决方案。为了满足这一需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了具备USB-OTG功能的 FAN5400系列USB兼容锂离...
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)的液晶电视功率解决方案相比现今使用的传统解决方案,可为设计人员提供显著优势,最近的创新技术能够减少元件数目,简化设计,并进一步提高可靠性——所有这些可以大幅降低成本。通过技术进步,飞兆半导体的半桥解决方案Ultra FRFET系列进一步...
为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求,工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。然而,在可再生能源、工业电机驱动器、高密度电源、汽车...
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)业界领先的初级端调节(PSR)脉宽调制(PWM)控制器系列为移动充电器、适配器及LED照明应用的设计人员提供了多种解决方案,以满足能源之星(ENERGY STAR) Level V等标准严格的功率和稳压规范要求。在充电器和适配器应用方...
为了满足能源之星(ENERGY STAR)法规要求并降低材料清单(BOM)成本,设计人员力求在总体产品设计中以更少的组件数目实现稳定的性能。这种对高能效设备的需求,使得设计人员越来越多地使用功率因数校正(PFC)技术。飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出有源PFC...
新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范,正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势,飞兆半导...
采用mWSaver?技术以提供同级最佳的电源节能特性手机充电器通常都插在插座上,而且大多数时间都不在执行充电工作。但是,它们仍然会消耗电能,因而浪费了能源和用户的金钱。如何降低这些装置的待机功耗,从而节省电能、满足政府法规要求,以及为用户节省金钱,已显然是设计工程师必须面对的问题。为了帮助设计人员...
现今许多电子设备具有多种工作电压,带来了电压兼容性问题。为了解决这类问题,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出8位自动导向(auto direction)逻辑电平转换器产品FXMA108,解决了混合电压环境的兼容性问题。其自动导向功能可以省去方向控制引脚,并且减少笔...
随着手机市场的持续发展,以及智能电话的使用率和市场增长不断上升,设计人员面临着在总体设计中增加功能性,但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势,飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT,占位面积仅为1mm x 1mm。FDZ3N513...
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