近期有消息称英特尔已决定放弃 10 纳米工艺芯片的生产，不过英特尔官方已经澄清这一传闻是“不真实”的.........

据三星电子官网消息，作为先进存储器技术的全球领导者，三星电子今(21)日宣布第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm)8GbDDR4以

英特尔（Intel）CPU 缺货情况持续，笔电代工厂普遍指出，缺货仍延续至今年第二季，Intel 24 日则透露，去年投入 15 亿美元扩大 14 纳米产能规划，有望在今年下半年逐步落实。

英特尔在CES 2019的整体表现超乎预期，可说是近年来内容最为丰富、简洁有力的记者会，一举揭露大量信息，尤其是针对10纳米制程延宕问题。

最近，三星宣布该公司将于2016年年底采用10纳米制造工艺大规模生产芯片，这个新技术在处理能力、芯片尺寸和功耗方面有着显著的优势。全新的10纳米芯片将会继续使用的鳍式场效晶体管(FinFET)技术，整体构造与全球首个使用14纳米工艺制造的Exynos 7420类似。当前，Exynos 7420芯片...