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2015年5月22日,德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新的CoolMOS? C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS? CP可减少50%的开关损耗,在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类...
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合,推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外,得益于低开关损耗,还可在任何负载条件下实现能效改进。C7适用于...
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