近年来，随着科技的飞速发展，电子产品对于存储器的需求不断攀升。作为存储器市场的重要组成部分，NAND闪存和DRAM的价格波动备受关注。据业内消息人士透露，近期NAND闪存现货价格持续上涨，而DRAM定价趋势则不太稳定。这一现象背后，上游供应紧张、芯片厂商减产以及市场需求等因素共同作用，成为了影响存储器价格走势的关键。

8月3日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。据悉，SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上首次公开该产品。

近日，全球领先的半导体制造商三星电子表示，由于其减产策略的成功实施，预计短期内NAND Flash价格将继续上涨。这一消息对于全球存储市场来说无疑带来了新的挑战和机遇。

近日，三星电子在中国西安的NAND闪存制造厂开工率已恢复至70%，这一消息无疑为业界带来了一丝欣喜。

近日，日本知名存储器制造商铠侠（Toshiba Memory）公布2023年第三季度财报，受NAND闪存出货量减少影响，公司营收大减38%。这一消息引发市场关注，业内人士猜测，此次业绩下滑或与全球存储器市场波动、供应链紧张等因素有关。

在经历了长时间的市场低迷之后，NAND闪存行业终于迎来了久违的复苏信号。

根据最新机构的预测，全球移动平台的DRAM（动态随机存取存储器）和NAND（闪存）合约价格在第四季度将继续上涨。这一消息引起了业界的广泛关注，并对整个电子产业链产生了深远的影响。

据近日消息，全球领先的电子产品制造商三星电子正计划将其位于东京的电子合作伙伴东京电子的设备引入其位于韩国平泽市的先进NAND（非易失性存储器）产线。这一举措预示着两家公司在强化合作关系的同时，也展示了他们对NAND市场未来发展的信心。

首尔，韩国 - 三星电子，全球最大的半导体制造商，已经计划提升512Gb NAND闪存晶圆的价格，预计涨幅将达到15%。这一消息是由行业内部人士透露的，他们表示这次价格调整将在未来几个月内逐步实施。这可能会对全球电子产品市场，尤其是智能手机、电脑和其他数据存储设备的价格产生重大影响。

这两年，SSD市场飞速发展，容量、性能越来越喜人，价格更是低得不可思议。其中原因很多，长江存储绝对功不可没，NAND闪存技术不断取得突破，已经达到了世界一流水准。虽然长江存储占据的市场还不够大，但足以给三星、SK海力士、美光这些国际巨头相当的压力。