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飞兆半导体推出P沟道PowerTrench? MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench? MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的...

飞兆半导体 P沟道

时间：2012-02-27

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Vishay新推超小外形尺寸的TrenchFET? Gen III P沟道功率MOSFET

日前，Vishay宣布，扩充其采用超小PowerPAK? SC-70封装的TrenchFET? Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及...

P沟道 MOSFE

时间：2013-09-06

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Vishay推出业界首款采用20V P沟道MOSFET

2012年11月28日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8m...

P沟道 业界首款 20V

时间：2012-11-29

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