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单通道,500mA LDO,输出电压精度±1.0%,低33µA电流消耗。
ROHM的mosfet实现了更精细的栅极结构和高电流密度
可以驱动GaN hemt,并在一个小的6针SON封装中以7A输出电流工作。
ROHM Semiconductor RFx30TZ6S和RFx60TZ6S超快速恢复二极管是硅外延平面二极管,提供峰值反向电压650V和整流正向电流范围从30A到60A。
阴极普通双型低VF二极管与40V反向直接电压在D²PAK或DPAK封装。
采用CMOS工艺,具有超低电流消耗特性的高精度集成电路。
导通电阻低,开关速度快。
基于BD63800MUF-C的AEC-Q100汽车双极低功耗步进电机驱动器。
优化获取环境光数据,以调整电视和智能手机的显示。
恒温输出ic内置温度检测元件和恒流电路。
在长边的特点端子,实现2W额定功率在一个紧凑的2550尺寸。
采用硅外延平面型结构制造,提供低红外和高可靠性。
具有硅外延平面结构,30V、40V或60V重复峰值反向电压。
具有较低的集电极-发射极饱和电压,适用于一般逆变器和焊接应用。
采用硅外延平面型结构制造,提供低VF和高可靠性。
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