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摘要： 提供高可靠性和硅外延平面结构。
ROHM Semiconductor ESDxVFMFHT106瞬态电压抑制器提供高可靠性，并包括硅外延平面结构。这些抑制器具有高达24V的反向隔离电压范围和高达130W的峰值脉冲功率范围。ESDxVFMFHT106瞬态电压抑制器通过AEC-Q101认证，采用SOT-323封装。这些暂态电压抑制器是ESD保护/浪涌保护的理想选择。
硅外延平面结构
高可靠性
反向隔离电压范围:
12 v (ESD16VFMFH)
16 v (ESD18VFMFH)
24 v (ESD27VFMFH)
110W (ESD16VFMFH和ESD18VFMFH)和130W (ESD27VFMFH)峰值脉冲功率范围
小模具型
AEC-Q101合格
说- 323包
防静电/防雷
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